場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^7～10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、**工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管屬于電壓控制元件，這一特點類似于電子管，但它的構造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。
(1)場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);
(2)場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。
(3)它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好;
(4)它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數;
(5)場效應管的抗輻射能力強;
(6)由于不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
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